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主题:国家存储器基地项目芯片生产机台进场安装 中国首批32层三维NAND闪存芯片年内量

发表于2018-04-11

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由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装。

 

这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段,中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。

 

这也为东湖高新区和武汉市打造以芯片-显示-智能终端为核心的万亿级高端消费电子产业集群目标迈出关键性一步。

 

 

 

武汉市长万勇出席活动并讲话,市委副书记、常务副市长陈瑞峰主持活动,紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国现场介绍项目进展情况,国家集成电路产业投资基金公司总经理丁文武代表股东单位发言。

 

华芯投资管理有限责任公司总裁路军、副总裁任凯,紫光集团总裁张亚东,联席总裁齐联、王慧轩,紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事长高启全,以及武汉市委常委、东湖高新区党工委书记程用文,副市长徐洪兰,东湖高新区管委会主任刘子清、管委会常务副主任陈平,市政府秘书长刘志辉,东湖高新区管委会领导宋治平、唐超、明铭、李首文参加活动。

 

 

 

成功研发“中国芯”

据悉,国家存储器基地于去年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片,荣获49日开幕的中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。这颗耗资10亿美元、由1000人团队历时2年自主研发的芯片,是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片,将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队,有力提升“中国芯”在国际市场的地位。

 

 

 

 

项目介绍

 

国家存储器基地项目是中国集成电路存储芯片产业规模化发展‘零’的突破,对于填补国内主流存储器领域空白、保障国家信息安全具有重要的战略意义。

 

该项目位于东湖高新区的武汉未来科技城,项目一期规划投资240亿美元,占地面积1968亩,于20161230日正式开工建设,将建设3座全球单座洁净面积最大的三维NAND Flash 生产厂房,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。其中一号生产及动力厂房已于去年9月提前封顶,年内即将投入使用。

 

项目(一期)达产后,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元,立志于解决我国受制于他人的“工业粮食”痛点问题,并将带动国产设备等产业链上下游企业迅猛发展。

 

光谷打造芯--端万亿产业集群

目前,东湖高新区已经聚集以长江存储、武汉新芯为龙头的集成电路企业百余家,2017年实现主营业务收入135亿元,专业从业人员近万人,创新能力稳步提升,人才队伍不断壮大,产业链不断完善,产业发展生态正在加快形成。

 

未来,在加快实现存储器芯片量产的同时,东湖高新区将加大设计、设备、材料、封测、存储控制等企业的招引力度,打造存储器全产业链。

 

 

 

在发展集成电路同时,东湖高新区正以武汉天马、武汉华星光电为龙头,推动新型显示领域发展,以华为、联想 MOTO、小米为龙头,推动智能终端领域发展,目标是在“芯片-显示-终端”核心领域,聚集一批龙头企业和优质中小企业,形成产业创新发展策源地,打造完整产业生态,形成万亿产业集群。


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